日本地震冲击半导体链:铠侠部分NAND停产,全球25%先进光刻胶产能受...
值得关注的是，据EE Times Japan 此前报道，铠侠K2工厂采用隔震结构设计，可有效吸收地震冲击；该工厂将专注于采用CBA（CMOS直接键合至阵列）技术的高密度218层3D NAND生产，全面出货计划定于2026年上半年启动。光刻胶校准需4至8周，涉及全球25%的先进产能 在本次受冲击的所有环节中，光刻胶供应链
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